為滿足下一代連網裝置超低功耗的需求，GLOBALFOUNDRIES推出研發的最新半導體技術：22FDX平台，能達到如FinFET的性能和能效，成本趨近於28奈米平面式（Planar）技術，適用於不斷推陳出新的主流行動、物聯網、RF連結及網路市場。

22FDX提供物聯網、主流行動、RF連結和網路市場中兼具性能、功耗和成本之選擇。

雖然有些應用會要求到3D FinFET電晶體頂級性能，但多數的無線裝置需要的是性能、功耗和成本之間的最佳綜合考量。運用22nm 2D FD-SOI技術（Fully Depleted Silicon-on-Insular；全空乏絕緣覆矽），22FDX提供了成本敏感應用的選擇途徑。憑藉0.4伏特的運作電壓，達到超低動態功耗、更低熱效應，以及更精巧的最終產品尺寸規格。相較於28nm，22FDX晶粒尺寸縮減20％，光罩數目減少10％；而相較於foundry FinFET，更減少近50％的浸潤式微影層。

GLOBALFOUNDRIES公司營運長Sanjay Jha表示，22FDX平台讓客戶善用最佳的功耗、性能和成本之綜合表現，推出有別於市場的產品。22FDX率先推出即時系統軟體可控制電晶體特性，系統設計師能夠動態平衡功率、性能和漏電。此外，對於RF和類比整合來說，這個平台提供了調整彈性同時具備能源高效率。

22FDX運用GLOBALFOUNDRIES在德國德勒斯登廠先進300mm生產線上28奈米高量平台來生產。這項技術奠基於對歐洲最大的半導體晶圓廠近二十年的長期投資，並且預示了德國矽谷地區發展的新扉頁。

GLOBALFOUNDRIES在德勒斯登發布的FDX平台上投資了2億5千萬美金作為技術發展和早期22FDX產能建立，屆時自2009年以來對於Fab 1總投資額將超過50億美金。同時也計畫進一步投資以因應客戶需求。此外，GLOBALFOUNDRIES與研發團隊和業界龍頭合作，共建穩健生態系統，不但加速產品上市時間並且提供22FDX系列各產品。

GLOBALFOUNDRIES22FDX平台實現用軟體控制電晶體特性，以達到在靜態電源、動態電源以及效能間作到即時調適。並包含一系列多元產品，符合不同應用需求：

‧22FD-ulp：針對主流低成本智慧型手機市場，超低功耗產品的功能提供了FinFET之外另一種選擇。透過基底偏壓技術，22FD-ulp比起0.9伏特28nm HKMG，功耗能夠降低超過70%，而功率和性能都媲美FinFET。對於部分物聯網和消費應用，平台可在0.4伏特下運作，並相較於28nm HKMG能減少90%的功耗。

‧22FD-uhp：運用類比整合的網路應用，22FD-uhp能在最小能耗的情況達到與FinFET同級超高性能。22FD-uhp客製化設計包含順向體偏壓、應用最佳化金屬堆疊和支援0.95v驅使電壓。

‧22FD-ull：超低漏電性能適用於可穿戴和物聯網裝置，具備與22FD-ulp相似功能，將漏電降至最低1pa/um。結合低運轉功率、超低漏電和彈性基底偏壓特性，能夠開發出全新等級，功耗大幅減低的電池供電穿戴裝置。

‧22FD-rfa：此一射頻類比產品提供更高的資料傳輸速率以及較低系統成本下50%的功耗減省，能夠滿足包括LTE-A行動接收器、高階MIMO Wi-Fi整合晶片以及毫米波雷達在內等大量射頻應用極為嚴苛的要求。主動射頻元件後閘功能則能降低甚至免除主要射頻訊號路徑線路中複雜的補償電路，射頻設計者因而可以提取出更多內在的Ft效能。

GLOBALFOUNDRIES與重要客戶和生態系統夥伴密切合作，鑽研最佳設計方法和完整的基礎與複雜專利開發。2016下半年將開始提供設計初始套件和初版製程設計套件，以及進行風險生產。