日立製作所宣佈試產全世界最高速的靜態隨機存取記憶體(SRAM)。日晶產業新聞報導，日立製作所開發的新記憶體，記憶容量為一百萬位元(Mb)，存取時間為550微微秒，預定今年內推出的下一代大型主機，即將搭配新技術製造的SRAM，適合高密度機體的金屬氧化半導體(MOS)電晶體，會在高電壓下受損，因此很難與高速、但容易產生高電壓的雙及電晶體組合在一起。