日前，拥有80.4%股份的Vishay Intertechnology,Inc.子公司Siliconix incorporated宣布推出将3.4V高阈值电压与2.7毫欧低导通电阻相结合的首款n信道MOSFET。具有40V和60V版本的这10款新型MOSFET主要用于汽车、工业及固定电信行业中具有电感负载的高温、高电流应用，例如高端开关、电机驱动及12V板网。

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当MOSFET在高温、高电流环境中运行时，如果受热影响的阈值电压开始接近0V，则它们会同时打开。直到现在，这对设计者来说仍是一个进退维谷的境地。一种解决方案是向电路中添加负电压驱动器，但缺点是增加了电路的尺寸、成本及复杂性。另一解决方案是使用具有高阈值电压的器件，但在这种情况下，其影响是极大增加了导通电阻。

这一新的MOSFET系列利用高密度硅技术提供了可摆脱这种境地的方法，该技术可使相同器件既提供低导通电阻又提供高阈值电压，从而避免了在汽车、工业以及涉及高温和高输出电流的其他应用中出现的同时打开的问题。