账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Vishay推出新型SMNZ超高精度Z箔四电阻网络
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎报导】   2007年09月20日 星期四

浏览人次:【8924】

Vishay宣布推出新型SMNZ超高精度Z箔四电阻网络,该器件在0°C~+60°C时具有±0.05ppm/°C的低绝对TCR,在额定功率时具有5ppm的出色PCR跟踪∆(“R,由于自加热”),并且具有0.01%的匹配容差以及0.005%的负载寿命比稳定性,并且通过Vishay的快速信道原型服务(Fastlane Prototype Service)可快速供货。

该新型SMNZ电阻网络基于Vishay的突破性“Z箔”技术,该技术极大降低了电子组件对周围环境变化(TCR)及应用功率变化(PCR)的敏感度。与其他任何电阻技术相比,Z箔技术将稳定性提高一个数量级,从而可使设计人员确保在固定电阻应用中实现高精确度。

SMNZ电阻网络在引线间距为50密耳的单个表面贴装JEDEC MS-012封装中结合了四个独立的Bulk Metal Z箔电阻。目前提供了大量电阻比。SMNZ具有比分立电阻及匹配电阻更高的性能及更有效地利用板面空间,可单独使用也可作为分配器对使用。

新型SMNZ电阻网络的应用将包括仪表与差分放大器、桥接网络、桥接电路中的射频臂、医疗与测试设备,以及军事与航天系统。

该SMNZ器件在70°C时可运行2000小时,具有±0.005%的负载寿命稳定性;每电阻的电阻范围介于100Ω~10kΩ;70°C时额定功率为0.4W(或每电阻0.1W);电流噪声低于-40dB。该器件可实现1.0ns的快速上升时间,且无激振,其采用了无电感、无热点的设计。该SMNZ器件具有最高的ESD抗扰性,可经受住25kV以上的静电放电,因此具有更高可靠性。

關鍵字: vishay 
相关产品
Vishay推出获沉浸式许可的新尺寸IHPT触觉回??致动器
Vishay固体??模制片式电容器为电子爆震系统增强性能
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体
Vishay液态??电容器为军事和航电应用提供高电容和稳健性
Vishay推出小尺寸薄膜环绕片式电阻器提供高达1 W功率
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» Vishay IGBT和MOSFET驱动器拉伸封装可实现紧凑设计、快速开关
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» Vishay新型30 V和 500 V至 600 V额定电容器扩展上市
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8C2CYRMCSSTACUKH
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: [email protected]