美光科技公司於世界通讯行动大会(MWC)上发表了microSD 记忆卡━━Micron c200系列1TB microSDXC UHS-I记忆卡。该产品为高性能的可抽取式储存解决方案，提供高达 1TB的储存容量，采用美光先进的96层QLC(四阶储存单元)3D NAND技术的microSD记忆卡。消费者使用此具成本效益的1TB microSD记忆卡，可透过手机和其他电子装置，储存4K影片、照片与游戏。

美光嵌入式产品事业部NAND解决方案资深总监Aravind Ramamoorthy表示：「美光透过研发CuA (CMOS under the Array)架构和96层QLC技术，成功开发出1TB microSD记忆卡。这款全新的c200系列1TB microSD记忆卡将满足消费者对行动装置黏着度高的生活方式，辅助用户自由撷取、分享、储存和享受更多内容。」

Forward Insights总裁Gregory Wong表示：「 我们预期3D QLC NAND技术时代来临，将带动市场对高容量消费性储存装置的需求增长。美光推出的1TB microSD记忆卡为可抽取式储存装置市场划下重要的里程碑，将有助於加速行动装置和游戏装置转换成高容量储存装置。」

c200系列1TB microSD记忆卡专为高性能行动应用程式量身打造，符合A2应用程式性能等级规格标准，能缩短安装在该卡上的应用程式及游戏载入时间，有效提升安卓合并储存空间(Android Adoptable Storage)功能。美光c200系列1TB microSD记忆卡每秒读取速度高达100MB，每秒写入速度可达95MB，符合UHS-I速度等级3(U3)与影片速度等级30(V30)的标准 。