Altera公司公开新款异质架构系统层级封装（SiP，System-in-Package）元件，整合了来自SK海力士（SK Hynix）公司的堆叠宽频记忆体（HBM2）以及高性能Stratix 10 FPGA和SoC。 Stratix 10 DRAM SiP代表了新一类元件，其特殊的架构设计满足了高性能系统对记忆体频宽最严格的要求。

Stratix 10 DRAM SiP元件在单个封装中高效整合FPGA和宽频记忆体晶片，突破了频宽瓶颈。

资料中心、广播、固网和高性能运算等系统要处理的资料量不断攀升，需要的频宽非常高。相对于目前的独立DRAM解决方案，Stratix 10 DRAM SiP的记忆体频宽提高了10倍。

Altera将这种突破性的3D堆叠记忆体技术和FPGA整合。 Stratix 10 DRAM SiP支援使用者以高功率效益的方式订制其工作负载，获得最大记忆体频宽。 Altera与数十家客户积极合作，在其下一代高阶系统中整合了这些DRAM SiP产品。

Altera的异质架构SiP产品使用Intel的嵌入式多晶片互联桥接（EMIB，Embedded Multi-Die Interconnect Bridge）技术来实现。 EMIB技术采用高性能、高密度矽晶片短桥接在单个封装中将多个晶片连接起来。 EMIB技术的晶片之间走线非常短，支援Altera以高性能价格比的方式建构异质架构SiP元件，与采用中介层的解决方案相比，性能更好，传输量更大，而功率消耗更低。

Altera企业策略和行销资深副总裁Danny Biran评论表示：「我们很多客户在系统中实现需要大量运算的任务时，面临最大的一个难题是如何支援越来越高的记忆体频宽需求，这些系统包括机器学习、大数据分析、影像识别、工作负载加速和8K视讯处理等。Altera在单个封装中同时实现了FPGA与宽频记忆体效能，在满足这些系统需求方面有自己的优势。还没有其他可程式设计解决方案在性能、功率效益和记忆体频宽上达到Stratix 10 DRAM SiP的水准。」

Altera的异质架构SiP策略是在单个封装中整合单颗FPGA和先进的元件，例如记忆体、处理器、类比、光学和各类硬式核心通讯协定等。 Altera高度整合的SiP产品将满足通讯、高性能运算、广播和军事领域高阶应用最严苛的性能和记忆体频宽需求。

在极小的外形封装中，SK海力士公司的宽频记忆体不但频宽高，而且功率消耗低于竞争的记忆体解决方案。宽频记忆体（HBM2，High-Bandwidth Memory）纵向堆叠了DRAM晶片，使用直通矽晶穿孔（TSV，through-silicon vias）和微凸块将其连接起来。在异质架构SiP中整合HBM2，这种实现方式让Altera能够将DRAM记忆体尽可能靠近FPGA晶片进行封装，进而缩短了走线长度，以最低功率消耗实现最大记忆体频宽。

高性能应用推动了业界对HBM2 DRAM技术的需求。 SK海力士美国技术行销副总裁Kevin Widmer表示：「达到每秒256GB频宽，每位元功率消耗降低66%，HBM2开辟了新应用领域，这在以前是不可想像的。在单个系统层级封装中整合高性能FPGA和HBM2，为高能源效益、宽频运算功能树立了重大的里程碑。」

客户现在可以使用快速前向编译性能评估工具启动其Stratix 10设计。 Altera将于2016年开始发售Stratix 10 FPGA和SoC，于2017年开始发售Stratix 10 DRAM SiP产品。 （编辑部陈复霞整理）