随着节能意识的提高，在交流400V工控装置领域，与现有的Si功率半导体相比，SiC功率半导体支援更高电压，且更节能、更小型，因此相关应用也越来越广泛。另一方面，工控装置中，除了主电源电路之外，还内建为各种控制系统提供电源电压的辅助电源，但由于广泛采用了耐压较低的Si-MOSFET和损耗较大的IGBT，因此在节能面存在着很大的课题。 ROHM基于上述挑战，于2019年开始研发内建高耐压、低损耗SiC MOSFET的插装型AC/DC转换IC。

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此款全新的AC/DC转换IC内建了节能性非常出色的SiC MOSFET，以及专为工控装置辅助电源*3最佳化的控制电路，并采用小型表面封装（TO263），有助使节能型AC/DC转换器的研发变得更加容易。运用于交流400V、48W输出的辅助电源时，在电路板上实现了自动打件安装，这是以往不可能达成的。而且与市场竞品的配置相比，零件数也有显著减少（将散热板和12个零件缩减为1个）。这不仅可降低零件故障的风险，还藉由SiC MOSFET将功率转换效率提升高达5％。因此不仅有助大幅削减工厂安装成本，还可以实现工控装置的小型化、节能化及提升可靠性。

新产品已于2021年5月开始出售样品（样品价格 1,500日元/个，未税），计画于2021年10月起暂以每月10万个的规模投入量产。另外，新产品和搭载新产品的评估板「BM2SC123FP2-EVK-001」已于电商开始销售。

今后ROHM将继续研发SiC等先进功率半导体和先进类比控制IC，不断优化产品并提供更好的解决方案，为工控装置的节能和系统最佳化有所贡献。

「BM2SC12xFP2-LBZ」采用为内建SiC MOSFET所研发的专用封装，当中汇集了1700V耐压SiC MOSFET和专为工控装置的辅助电源最佳化的SiC MOSFET驱动用闸极驱动电路等。对于内建1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换IC而言，若能达成以下特点，将有助推广极具优势、且内建SiC MOSFET的AC/DC转换器。

1．支援高达48W输出功率的表面封装产品

新产品采用为内建SiC MOSFET而研发的表面封装「TO263-7L」。尽管体积小巧，但仍可充分确保处理大功率时的封装安全性（爬电距离），而且以无散热器的表面封装产品而言，甚至可支援高达48W（24V、2A等）的输出功率。另外还可利用自动装置将本产品安装在电路板上，这是过去类似产品所无法做到的。加上可削减元件数量的优势，将有助大幅降低工厂安装成本。

2．将散热板及12个零件缩减为1个

新产品采用一体化封装，与采用Si-MOSFET的离散式产品配置相比，零件数量显著减少，1个封装内包含多达12个零件（AC/DC转换器控制IC、800V耐压Si-MOSFET×2、齐纳二极体×3、电阻×6）和散热板。另外，由于SiC MOSFET具有高耐压、抗噪性能优异的特点，还有助于降噪零件的小型化。

3．减少研发周期和风险，内建保护功能

新产品采用一体化封装，不仅可减少钳位元电路和驱动电路的零件选型及可靠性评估的工时，还可降低零件故障风险，缩减导入SiC MOSFET时的研发周期。另外，除了透过内建SiC MOSFET确保了高精度过热保护（Thermal Shutdown）功能外，还配备了过负载保护（FB OLP）、电源电压引脚的过电压保护（VCC OVP）、过电流保护、二次侧电压的过电压保护等，拥有进行连续运作的工控装置电源所需的丰富保护功能，非常有助提高可靠性。

4．发挥SiC MOSFET性能，节能效果显著

新产品中搭载的SiC MOSFET驱动用闸极驱动电路，透过更加充分发挥SiC MOSFET的特性，与采用Si-MOSFET的一般配置相比，功率转换效率提升高达5%（截至2021年6月ROHM调查资料）。另外，本产品的控制电路采用准谐振方式，与普通的PWM方式相比，运行杂讯低、效率更高，因此可将对工控装置的杂讯影响降到最低。