意法半导体（STMicroelectronics）推出MasterGaN3和MasterGaN5两款整合功率系统封装，分别针对最高45W和150W的功率转换应用。

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另外除了针对65W至400W应用的MasterGaN1、MasterGaN2和MasterGaN4，这两款新加入的产品为设计开关式电源、充电器、转接头、高压功率因数校正（Power-Factor Correction，PFC）和DC／DC转换器的工程师选择最佳的氮化镓（GaN）元件和驱动解决方案提供了更多的弹性。

意法半导体的MasterGaN概念简化了GaN宽能隙功率技术替代普通矽基MOSFET的移转程序。新产品整合两个650V功率电晶体与优化之高压闸极驱动器，以及相关的安全保护电路，消弭了闸极驱动器和电路布局的设计挑战。由于GaN电晶体提供更高的开关频率，相较于基于矽的设计，新的整合功率系统封装可使电源尺寸缩小了高达80%，并且具备很高的稳定性和可靠性。

MasterGaN3 两个 GaN 功率电晶体的导通电阻值（Rds(on)）不相等，分别为225mΩ和450mΩ，使其适用于软开关和有源整流转换器。在MasterGaN5中，两个电晶体的导通电阻值（Rds(on)）皆为450mΩ，适用于LLC谐振和有源钳位反激转换器等拓扑。

与MasterGaN产品家族的其他成员相似，这两款元件均相容3.3V至15V逻辑讯号的输入，进而简化了产品本身与DSP处理器、FPGA或微控制器等主控制器，以及霍尔感测器等外部装置的连线。新产品亦整合了安全保护功能，包括高低边欠压锁定（UVLO）、闸极驱动器互锁、过热保护和关断脚位。

每款MasterGaN产品都有一个配套的专用原型开发板，协助设计人员快速启动新电源专案。 EVALMASTERGAN3和EVALMASTERGAN5开发板皆包含一个单端或互补驱动讯号产生器电路。板载一个可调的死区时脉产生器，以及相关的装置介面，便于使用者采用不同的输入讯号或 PWM 讯号，连线一个外部自举二极体来改善容性负载，为峰流式拓扑插入一个低边检流电阻。

MasterGaN3和MasterGaN5现已量产，其采用针对高压应用而优化的9mm x 9mm GQFN封装，高低压焊盘间爬电距则离为2mm。