RF Micro Devices(RFMD)宣布，将于1月9日至11日在加州LongBeach举行的“IEEE Radio and Wireless conference”展示其最新的RF开关–RF1200及RF1450。

RF1200及RF1450运用了RFMD的GaAs制造能力，并发挥了针对用于RFMD传输模块而开发的切换技术。这些高效能开关，致能了在多重市场区隔的前端应用，包括多重模式的GSM/WCDMA手机、天线调谐器、IEEE802.11a/b/g WLAN及蜂巢式基础架构等。

RF1200是一款单刀双掷(SPDT)高功率开关，其符合所有WCDMA之线性需求，并具备低插入损失、低控制电压及非常良好的调谐特性。其采用0.5μm GaAs pHEMT制程、及非常纤小的2X2mm、6针脚、无铅QFN封装。

RF1450则是单刀四掷(SP4T)高功率开关，专为提供多重模式WCDMA应用之卓越线性效能而设计。

RF1450包含了内建的译码邏辑，使其只需兩条控制线便能控制开关。亦采用纤小3X3X0.6mm、16针脚、无铅QFN封装。