手机闪存解决方案供货商意法半导体（ST），宣布推出65nm PR系列NOR闪存产品。基于第四代multi-level cell（MLC）技术，65nm PR系列闪存的软硬件可完全兼容于现有的90nm PR系列NOR闪存，并提供更高的内存容量和更佳的性能，为客户提供一条简单的系统升级途径。

65nm PR系列NOR闪存

为满足行动应用市场对高分辨率相机、多媒体内容和快速因特网链接的需求，ST新推出的65nm PR系列产品的burst读取速度可达133MHz，编程速度可达每秒1.0-Mbyte，并采用1.8V工作电压提供deep power down模式。这个先进的NOR闪存系列产品与LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND以共享bus或分隔bus的配置组装在一起，并采用多芯片封装（Multi-Chip Package, MCP）和层迭封装（Package–on–Package,PoP）的封装技术。