Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1.2 V时业界最低的导通电阻。

Vishay推出采用具1.2mm×1.0mm业界最小占位面积的MICRO FOOT芯片级封装的新型20V P信道TrenchFET功率MOSFET。（来源：厂商）

凭借1.2mm×1.0mm的超小占位面积，Si8445DB比业界大小仅次于它的器件小20%，同时具有0.59mm的相同超薄浓度。Si8445DB具有1.2V VGS时0.495Ω～4.5V VGS时0.084 Ω的低导通电阻范围。1.2 V时的低导通电阻额定值降低了对电平位移电路的需求，从而节约了便携式电子设计中的空间及功率。

该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数字相机、MP3播放器及智能电话等便携式设备中的低阈值负载开关、充电器开关及电池管理。