英飞凌科技宣布推出下一代 600V CoolMOS C6 系列高效能MOSFET。 600V CoolMOS C6 系列产品上市后，将可使功率因素校正 (PFC) 或脉宽调变级 (PWM stage) 等能源转换应用更具节能效益。 新的 C6 技术结合了最新超接面或补偿装置等多项优势，包含超低区域特定导通电阻（例如 TO-220 封装仅 99mOhm），并且能够降低电容切换损耗，而且切换动作控制简易，体二极管 (body diode) 也极为坚固耐用。

英飞凌推出下一代 CoolMOS MOSFET，结合超接面技术的效益和传统高电压装置的优势

C6 系列产品是英飞凌的第五代 CoolMOS MOSFET。 有了 CoolMOS C3 和 CoolMOS CP 等上一代系列产品的开发经验，英飞凌已持续提升切换速度，并降低导通电阻。 CoolMOS C3 装置具备多样化的功能，CP 系列产品则适用于需要最高切换速度及最低 RDS(on) 的封装相关专属应用。

英飞凌全新的 600V CoolMOS C6 装置结合了前述两项产品的精华， 举例来说，电源供应器制造商可受惠于超接面 CP 系列产品的好处，例如极低的电容损耗和超低区域特定 RDS(on) 值，使电源供应器更具效率、体积更小、重量更轻且散热更好。 同时，还可有效控制电路板上的切换动作，并且大幅提升对抗寄生电感和电容的强度，相较于以 CP 系列产品为主的设计，将可简化系统的布线。

CoolMOS C6 系列产品具备上一代 CoolMOS C3 的简单易用和节能效益，同时额外提升轻负荷 (light load) 效能，将使其成为硬式切换应用的基准。 此外，输出电容所储存的超低电力和硬式整流耐变性，也让此装置适用于共振切换 (resonant switching) 应用。