国际整流器（International Rectifier；IR）推出一对新型30V HEXFET功率MOSFET。相比于采用30V MOSFET的解决方案，它们可提供高出2％的轻负载效率，用于驱动最新Intel和AMD处理器中的45A、二相同步降压转换器，适用范围包括笔记簿型计算机及其他高效能计算机应用。

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这两款新型无铅组件分别是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF，它们能够体现最佳的传导、交换和本体二极管损耗，发挥最大的效率和功率密度。两款组件可用作二极同步降压转换器电路中的芯片组，这些电路每相需要1个控制和2个同步MOSFET。这些新型SO-8 MOSFET还适用于其他采用PWM控制的DC-DC降压转换器应用。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「在低至中功率水平，高效率对笔记簿型计算机十分重要，因为它们是最主流的电池驱动产品。我们的新芯片组可针对这方面的需要，在5至15安培的范围内把效率提升2％。新组件可减低功率损耗，从而降低系统的操作温度，这一点对便携式计算机也相当重要。」

新芯片组包含1个控制MOSFET和1个同步MOSFET，每个组件皆经过定制，各自发挥最大效能。控制MOSFET具有更低的交换损耗（闸电荷），同步MOSFET则具有低传导损耗（低通态电阻）及低逆向恢复电荷。

IRF7823PbF是一款经过优化的控制场效应管（FET），闸电荷（Qg）与闸漏极电荷（Qgd）都十分低，分别只有9.1nC和3.2nC。

IRF7832ZPbF同样经过优化，能发挥完善的同步FET功能；在4.5V 下的典型通态电阻极低，只有3.7mOhm，适用于12A或以下的应用环境。IRF7823PbF和IRF7832ZPbF现在已开始供货。它们皆不含铅，而且符合有害物质管制规定（RoHS）。