亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，ADI) 旗下的凌力尔特 (Linear Technology) 日前推出高速、高压侧 N通道 MOSFET 驱动器 LTC7001，该元件以高达150V电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 通道 MOSFET 开关，使其能保持无限期导通。LTC7001强大的1Ω闸极驱动器可凭藉非常短的转换时间和 35ns 传播延迟方便地驱动闸极电容很大的MOSFET，因此相当适於高频开关和静态开关应用。

高速、高压侧 N通道 MOSFET 驱动器 LTC7001适合於高频开关和静态开关应用。

LTC7001 用来接收以地为基准的低压数位输入讯号，并快速驱动一个漏极电压可能在 0V 至 135V (绝对最大值为150V) 之间的高压侧N通道功率 MOSFET。LTC7001 在 3.5V 至 15V 的驱动器偏置电源范围内运行，具可调欠压闭锁。当驱动一个 1000pF 负载时，快速 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调导通转换率和可调过压锁住。

LTC7001 采用 MSOP-10 封装，其接脚配置提供高压间隔。该元件具备 3 种操作接面温度版本，延展型和工业等级版本的温度范围为摄氏－40度至125度，高温汽车级版本则为摄氏－40度至150度，军用级版本为摄氏－55度至150度。

产品特色

·宽广 VIN操作范围：0V至135V (150V绝对最大值)

·内部充电泵实现100% 工作周期能力

·1Ω下拉、2.2Ω上拉以实现快速导通和断开时间

·快速35ns传播延迟

·可调导通转换率

·3.5V至15V 闸极驱动器电源

·可调驱动器电源 VCC 欠压锁住

·可调 VIN 过压锁住

·CMOS 相容输入