IDT公司发表一款新型低失真、低耗电的射频（RF）混频器，将降低失真的射频科技带入LTE与TDD系统，同时将耗电降至最低。最新加入IDT快速成长系列射频产品F1178，改善三阶截取点达8dB，并且与同级混频器相比降低耗电30%。

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IDT F1178为IDT的双混频器「零失真」系列产品之一，是一个高效能的混频器供射频（RF）至中频（IF）用，设计用于单一的5伏特电源操作。将混频器提至优化，供操作射频带宽从3300至3800MHz的接收器用。此芯片适用于基地台射频卡、中继器、分布式天线系统及微波后端设备。

极低耗电纾解了射频卡上的散热要求，并且超高的IP3可以允许具有高增益的前端设备。F1178提供使用恒定低阻抗电源启动的快速设置，让客户在TDD Rx插槽之间关闭混频器电力，进一步降低耗电。

IDT的无线产品定位与营销资深处长Chris Stephens表示，将双混频器系列加入此产品，提供给快速部署3.5GHz带宽解决方案之要求高性能的客户。借着这个超低IM3失真，F1178可以大幅增进射频卡的性能。Chris Stephens表示：「借着F1178双混频器，客户可以使用较高的射频增益，操作他们的系统来改善讯号噪声比，而仍然维持优异的IM3失真，就像是他们在较低频率的带宽上使用我们的混频器所做的一样。」

上述组件已提供合格客户试样。（编辑部陈复霞整理）

产品特色

‧超过44dB优异的信道隔离

‧供TDD系统用的快速设置降低电力模式

‧射频范围从3300至3800 MHz供42与43带宽用

‧9.0 dB增益

‧超线性+38 dBm三阶截取点

‧低噪声数字9.0 dB（NF）

‧200奥姆输出阻抗

‧高 +10.7 dBm P1dBI

‧插销与IDT较低频率的双混频器兼容

‧低耗电，低于1.4瓦