英飞凌（Infineon）近日发表，已于奥地利菲拉赫（Villach）据点生产出首款300毫米薄晶圆之功率半导体芯片（first silicon），成为全球首家进一步成功采用此技术的公司。采用300毫米薄晶圆生产之芯片的功能特性，与以200毫米晶圆制造之功率半导体相同，已成功通过在高压应用产品中使用金氧半导体场效晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）的应用测试证明。

英飞凌董事会成员，负责运筹、研发及劳方主管Reinhard Ploss博士表示，英飞凌工程师的成就，代表生产技术的大跃进。创新奠定了获利成长的基础，也确保该公司的竞争优势。

2010年10月，英飞凌已在奥地利菲拉赫着手设立300毫米晶圆及薄晶圆技术的功率半导体前导生产线。目前该团队拥有50名工程师和物理学家，来自研究、开发、制造技术及市场营销等各个领域。