汽车事件资料记录系统（EDR）市场持续发展，推动了专用资料记录存放装置需求，这些装置能够即时撷取关键资料，并且可靠地储存资料长达数十年。英飞凌科技近期扩展资料记录记忆体产品，推出两款分别具有1Mbit和4Mbit储存容量的新型F-RAM记忆体。全新1Mbit EXCELON F-RAM为业界首款车规级串列F-RAM记忆体。

英飞凌扩展其EXCELON F-RAM记忆体产品，推出两款分别具有1Mbit和4Mbit储存容量的新型F-RAM记忆体。

这两款新品已通过AEC-Q100 1级认证，支援更宽广的温度范围（-40。C 至+125。C ），增添储存容量从4Kbit到16Mbit的车规级F-RAM记忆体产品组合。它们均具有快速且高度可靠的读/写性能，在SPI模式和Quad SPI（QSPI）模式下的读写性能分别高达50 MHz和108 MHz。此外，这些记忆体具有10万亿次读写周期，能够支援以10微秒间隔进行资料记录长达20年。

英飞凌RAM解决方案??总裁Ramesh Chettuvetty表示：「随着电子系统的广泛应用，以及行业法规鼓励在安全气囊系统及引擎控制和电池管理系统中使用高可靠非挥发性记忆体，汽车系统中的资料记录需求正在迅速增长。需要记录资料的应用数量不断增加，根据特定用例定制储存密度的需求也随之增长。英飞凌致力於协助客户灵活满足各类系统设计对记忆体架构的要求。」

EXCELON F-RAM记忆体具有零延迟写入功能，可以持续撷取并记录资料，直到事故或其他用户定义的触发事件发生前的最後一瞬间。这两款新品采用串列（SPI/QSPI）介面，具备F-RAM记忆体的超低功耗特性，工作电压范围为1.8 V至3.6 V，并采用标准的8引脚SOIC封装。英飞凌F-RAM记忆体还可在断电後保存资料超过100年。

英飞凌储存容量为1Mbit （CY15B201QN-50SXE）和4Mbit （CY15B204QN-40SXE） 的EXCELON 车规级F-RAM记忆体，目前已量产。