英飞凌科技股份有限公司 推出 CoolMOS C7，扩充其高电压产品组合，推出全新 650V 超接面 MOSFET 技术。新款 C7 产品系列可为所有标准封装提供同级最佳 RDS(on)，此系列的低切换损耗也提高了全负载时的效率。C7 适用于硬式切换拓朴，例如连续导通模式功率因子校正 (CCM PFC)、双晶体管顺向式 (TTF) 与太阳能升压。典型的应用为太阳能、服务器、电信和不断电系统 (UPS)。C7 拥有 650V 的崩溃电压，因此也适合需要额外安全余裕的应用。

英飞凌高电压功率转换产品部门主管 Jan-Willem Reynaerts 表示：「C7 系列延续了英飞凌高质量超接面 CoolMOS 技术的 12 年创新之路，强化了我们在高阶电源转换领域的领导地位。凭借着 CoolMOS C7 的最佳优值系数 (RDS(on)*EOSS)，客户得以设计出新一代结合更高的功率密度与效率的电源转换系统。」

C7 系列提供业界最低的 RDS(on) ( TO-247 封装为 19m?， TO-220 和 D2PAK 封装为 45m? )。C7 的快速切换效能现在可让客户产品首次以高于 100 kHz 的切换频率运作，同时在服务器 PFC 等级达成钛金级的效率。这可减少被动组件所需的空间，进而实现更高的功率密度。

此外，输出电容 (Eoss) 中所减少的能源与低闸极电荷 (Qg)，也可在轻负载状况下提高效率。

结合同级最佳效能的 C7、英飞凌新碳化硅 (SiC) thinQ! 第 5 代 萧基二极管系列与 ICE2/ICE3 控制 IC，可为设计人员带来无可比拟的 CCM PFC 电路效能。