美商超威半导体(AMD)近日发表一款新型双闸晶体管。这种晶体管全长只有10奈米(nm)，即闸长为100亿分之一米，比目前生产的最小晶体管还要小六倍。AMD这项新技术的突破，使目前只能够内含一亿颗晶体管的芯片，可以提升容纳到十亿颗晶体管。AMD指出，晶体管其实是一种微型开关，而微处理器内的集成电路全部由晶体管组成。双闸晶体管架构实际上将晶体管可以容纳的电流量提高一倍。在设计上，鳍式场效晶体管(FinFET)利用一片细薄的“鱼鳍型”(Fin)垂直硅片防止晶体管在“关闭”时出现漏电情况。AMD将不同的设计整合一起，使新芯片的效能更高，但体积则不断缩小。

AMD技术开发副总裁Craig Sander表示，「我们必须开发创新的晶体管，才可进一步提高芯片的效能，以满足客户的需要。整个半导体业一直努力克服一切困难，设计外型更小巧及效能更高的全新晶体管，并确保全新的晶体管可沿用绝大部分目前的业内标准制程技术进行量产。FinFET晶体管的推出显示AMD可以沿用业界一直信赖的基本技术架构，继续为客户提供效能更高的芯片产品。」AMD就有关10奈米CMOS FinFET晶体管进行的实验是与美国加州大学柏克莱分校的一项合作研究计划，而Semiconductor Research Corporation(SRC)更一直为这项研究提供技术支持。这款CMOS FinFET晶体管是在AMD的亚微米开发中心(SDC)成功开发出来的。

加州大学柏克莱分校电子工程及计算机科学系副教授Tsu-Jae King博士表示，「由于FinFET晶体管具有漏电控制特性，因此最适合用来制造未来一代体积以奈米计的CMOS芯片。预计这类奈米CMOS芯片可在十年内正式量产。FinFET晶体管的特性显示CMOS技术有很大的可塑性及发展潜力。」AMD与加州大学将会在国际电子装置会议(IEDM)上联名发表一篇题目为“FinFET的闸长缩小至10奈米”的论文。国际电子装置会议定于2002年12月9日至11日在美国旧金山举行。