德州仪器（TI）宣布将把高介电系数（high-k）材料整合到TI最先进和高效能的45奈米芯片晶体管制程。随着晶体管体积不断缩小，半导体组件的漏电问题日益严重，业界多年来一直研究如何利用高介电系数材料解决这个难题。相较于目前使用广泛的二氧化硅（SiO2）闸极介电材料，TI将透过新材料把单位面积的漏电降低30倍以上。TI的高介电系数材料还提供兼容性、可靠性和扩展性等优点，协助TI利用45和32奈米制程继续提供高产量、高效能和低耗电的半导体解决方案。

TI于2006年6月公布45奈米制程细节，该制程透过193奈米浸润式微影（immersion lithography）技术将每片晶圆的产出加倍。TI还将透过多项技术把系统单芯片处理器的效能提高三成，耗电量则减少四成。TI预计在2007年供应45奈米无线组件的样品芯片，并于2008年中量产。TI随后还会将高介电系数材料导入45奈米制程，以便生产最高效能的产品。

TI表示，该公司目前已有数种45奈米制程得以满足客户独特的产品需求，同时提供多种制程以便发展最具弹性和优化的设计。其中包含的低耗电制程，不仅能延长可携式产品电池寿命，更可为高整合系统单芯片设计的先进多媒体功能提供所需效能。中阶制程则支持通讯基础设施产品的TI DSP和高效能ASIC组件库。还有最高效能的45奈米制程，不仅提供微处理器等级效能，而且将是最先整合高介电系数材料的制程。