快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出采用超小型(3mm x 3mm)模塑无脚封装(MLP)的100V、200V和220V N信道UltraFET器件，最适合用于作工作站、电信和网络设备等隔离DC/DC转换器应用的初级端开关，可满足这些设计对提高系统效率和节省电路板空间的设计目标。

快捷半导体的200V器件FDMC2610 BigPic:320x200 (厂商提供)

与市场上类似的200V MLP 3x3封装器件相比，快捷半导体的200V器件FDMC2610大幅提升了业界最低的密勒(Miller)电荷(3.6nC与4nC之比)和最低的导通阻抗(200mΩ与240mΩ之比)。这些特性使该器件的质量系数(FOM)提高了27%，并且在DC/DC转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200V器件亦提供同类封装器件中最佳(3C/W与25C/W之比)的热阻(Theta JC)，甚至在严苛的环境中也能确保可靠的散热效能。

快捷半导体通信部市场发展经理Mike Speed表示：「快捷半导体现为设计工程师提供具有领先业界性能的超紧凑型MLP 3x3功率开关产品。我们将PowerTrench制程的优点与先进的封装技术相结合，全面提升UltraFET产品系列的水平。这些产品还特别经过量身订做，能满足现今DC/DC转换器应用中最严苛的设计要求。」

快捷半导体的UltraFET器件除了能提供比市场上同类型封装MLP器件更出色的热性能和开关性能外，而且其在电路板上所占用的空间，还比DC/DC转换器设计中常用的SO-8封装器件少一半。封装尺寸的缩小可让工程师缩减MOSFET的占位面积及增强封装热容量，以便设计出更小型及高密度的DC/DC转换器。

快捷半导体还推出了一款同样采用MLP 3x3封装的150V P信道平面型UltraFET器件，可与前述三种N信道器件搭配，发挥相辅相成的效果。这个器件选项为设计工程师提供了一完整的解决方案，能满足其主动箝位开关架构同时需要N信道和P信道MOSFET的应用。