英飞凌（Infineon）昨（6）日宣布，推出采用沟槽技术制程的最新单一P信道40V汽车电源MOSFET系列产品。英飞凌表示，新型40V OptiMOS P2产品为提升能源效率、减少CO2排放及节省成本设立新的基准。

Infineon新型P信道40V MOSFET系列产品，提供50A至180A的各种标准封装方式。

英飞凌新型P信道40V MOSFET系列产品，提供电流范围50A至180A的各种标准封装方式，衍生出30多款系列产品。由于P信道40V OptiMOS P2产品是用作汽车桥式应用产品的高压侧开关，因此不需要额外的电荷泵装置，可大幅节省成本并提升EMI效能。

新产品整合脉冲宽带调变（PWM）控制功能，相较于N信道MOSFET，具备更佳的散热与雪崩能量表现，因此适用于电池反接保护及汽车马达控制应用，例如电子动力转向系统（EPS）马达控制、三相与H型桥式（H-bridge） 马达（雨刷、电子式驻煞车）、HVAC风扇控制以及电动泵。

桥式配置的高压侧与低压侧皆需要MOSFET。相较于N信道MOSFET，新型P信道装置不需要额外的电荷泵，即可支持驱动直流刷马达或无刷三相直流马达的高压侧开关。若采用H型桥式马达，平均可节省约5％至10％的成本。

OptiMOS P2装置采用坚固的封装，可承受在湿度敏感等级1（Moisture Sensitivity Level 1，MSL1）熔焊时 260°C 的高温，并使用符合RoHS规范的无铅电镀。功率MOSFET符合汽车电子协会（AEC-Q101）所制订的规格。