高效能电源半导体解决方案供货商Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列，具备广泛的封装选项以及最低的通导电阻（Rdson）与输出电容（Coss）。全新产品阵容协助设计人员针对需要600V / 650V以上的崩溃电压的高效能解决方案，改善效率、成本效益与可靠度，更减少了组件数量，精简机板空间，为设计人员带来更大的弹性。

/news/2015/03/10/1041322450S.jpg

800V SuperFET II MOSFET 系列具备高可靠度以及优异的效率及热能特性，适合许多不同的应用。同时，其广泛的封装选项为设计人员带来极大的弹性，特别适合尺寸有限的设计。此系列的关键应用，包括 LED 照明、LED 电视电源及家庭剧院音频设备、变压器、服务器、工业电源与其辅助电源供应器，以及微太阳能逆变器。

Fairchild技术营销主任工程师 Wonhwa Lee 表示：「使用Fairchild的 800V SuperFET II MOSFET 系列，制造商得以改善产品效率以及可靠度，由于具备优异的切换效能与低电阻，其效率远胜于最强劲的竞争对手。新系列产品使用了最新的超接面技术，使其具备比以往更为小的体积与更高的效率，而其内建耐高 dv/dt条件的二极管，可提高工业桥接电路的可靠度。」

Fairchild最新的 SuperFET II MOSFET 系列是由 26 项装置所组成，其通导电阻范围从 4.3 Ohm 起，最低可至60 mOhm，皆包含在广泛的标准封装选项之中，为设计人员带来更多选择和弹性，还能针对特定应用，采用理想的装置。例如：新系列中的关键产品 FCD850N80Z 为DPAK封装且具备极低的 850 mOhm Rdson （最大值），与主要竞争对手相比，其Rdson（最大值）减少6%~11%，且Coss（@400V）减少8%~13%，是以适合需要低电阻且空间有限的LED照明应用。 （编辑部陈复霞整理）