东芝记忆体株式会社(Toshiba Memory Corporation)推出BG4系列，该新系列单一封装NVMe SSD储存容量高达1,024GB，在单一封装中嵌入创新性96层3D快闪记忆体和全新控制器。

东芝推出采用96层3D快闪记忆体的1TB单一封装PCIe Gen3 x4L SSD

该新系列单一封装SSD采用PCIe Gen3 x4通道，循序读取性能高达2,250 MB/s，且快闪记忆体管理得到改善，提供业界领先的随机读取速度，每秒读写操作的次数高达380,000。BG4单一封装SSD适用於紧凑型和性能型系统，如超薄笔记型电脑、物联网嵌入系统和资料中心启动伺服器。

而且，与上一代BG3系列相比，BG4系列循顺写入速度和随机写入速度分别提高约70%和90%。此外，该新系列采用东芝记忆体株式会社尖端的BiCS FLASH 3D快闪记忆体和全新的SSD控制器，其读取功率效率提高达 20%，写入功率效率提高达7%。

BG4单一封装SSD系列将提供128GB、256GB、512GB和1,024GB四种储存容量。其中，储存容量512GB以下的SSD厚度超薄，仅为1.3mm。尺寸外形选项包括表面黏着型M.2 1620 (16 x 20mm)单一封装或抽取式M.2 2230 (22 x 30mm)模组。