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X-FAB发表0.35微米100V高电压纯晶圆代工技术
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2010年07月20日 星期二

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德国艾尔福特(Erfurt)–顶尖模拟/混合讯号晶圆厂,同时也是「新摩尔定律(More than Moore)」技术专家的X-FAB Silicon Foundries,日前发表业界第一套100V高电压0.35微米晶圆制程。 当运用在电池管理方面,可实现更上层楼的可靠性、高效能电池管理与保护系统,也最适合于电源管理应用与运用压电驱动器的超音波图像处理和喷墨打印头应用。此外,X-FAB更增添全新强化的N-与P-型双扩散金属氧化物半导体(DMOS)晶体管,具备更低45%的导通电阻(on-resistance)适用于高达100V的多种作业电压,更缩小达40%的芯片面积,自然也降低了成本。X-FAB将在7月27日与28日针对全球展开免费的网络研讨会,议题?「业界首创0.35微米100V纯晶圆代工制程的高电压应用(Addressing High-Voltage Applications with the Industry’s First 0.35 Micrometer 100V Pure-Play Foundry Process)」并彻底讨论这些全新功能。

X-FAB首席技术官Jens Kosch表示:「随着油电混合车与电动车、光电动势电池(photo-voltaic cell)及风力涡轮发电机等可再生能源应用的支持者日益增多,安全、高效能能源储存管理解决方案也应运而生。运用X-FAB全新的专门高电压制程,我们的客户能够应付这些问题,与及以更低成本支持大幅增长潜力的其他新兴应用。例如,我们留意到全球各大车厂都对锂离子电池等电源管理解决方案投以注目。我们的客户运用X-FAB崭新HV制程,便能够实现更安全、更高效能的电池监控与保护系统。」

關鍵字: 艾尔福特  Jens Kosch 
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