ST日前发表一款在符合业界标准电压与温度条件下，速度最快的32兆位闪存。这颗高密度的M29W320D是采用ST领先业界的0.18微米闪存制程技术制造，适用于蜂巢式行动产品、个人数字助理、外围设备、游戏、以及其他先进数字通讯及消费性产品中。

M29W320D

M29W320D可在2.7V～3.6V的供给电压以及-40～+85℃的操作温度条件下执行读取、编程与抹写等动作。该芯片的特征之一是其异步随机访问时间少于70ns，这将使这个快速的32Mbit闪存芯片适用于业界标准温度范围。另外，其快速编程能力也能加速生产线的量产速度。

ST非挥发性内存部门副总裁Giuseppe Crisenza表示：“新组件将以ST已获得巨大成功的标准快闪记忆市场为基础，而当应用在高性能可携式与手持式消费性产品市场上时，新产品将更能巩固ST的技术领先地位。”

ST闪存部门Mario Licciardello则表示：“M29W320D在标准以及量产应用这两种市场上，大幅拓展了我们的产品线。”

M29W320D兼容于共享的闪存接口标准。这使得设计人员能查询该组件的内部技术数据与64位安全码，同时它也采用了广泛通用的软件，并保证供货不中断。该组件的典型编程时间为10μs，具有至少20年的数据存放时间，以及至少100,000次个别编程/抹写动作的使用保证。M29W320D现有70ns异步随机访问时间的版本问世，采用12x20mm TSOP48或6x11mm TFBGA 48 (0.8mm pitch, 6x8 ball)封装。