ST日前推出一款3V、64位的全新闪存组件M29DW640D。新组件是ST M29系列的最新产品，采用0.15微米制程技术，其接脚完全兼容于市场上同类型的闪存芯片，适用于蜂巢式电话、个人信息设备、手持式个人计算机，以及GPS全球定位系统等产品。

ST 3V、64位的全新闪存组件-M29DW640D

ST表示，M29DW640D可以被组成8位或16位(字符)，做为I/O作业之用，其A、B、C、D四个记忆库的容量分别为8、24、24、8Mbit。两个8Mbit的数据组各内含8个参数区块。另外，每个区块都能独立被清除，因此在旧有数据被清除时，该内存仍能将有效数据保存下来。

M29DW640D的其特色还包含了：25ns或30ns的页面读取访问时间；12V快速编程作业；五个快速编程指令，以及一个可储存保密或其他信息的256字节扩充内存区块。当使用五个快速编程指令的其中一个时，该内存对于高达8个相连字节的同步编程标准时间仅有10微秒。

ST内存产品部副总裁Giuseppe Crisenza表示，「这些高密度内存的问世，进一步强化了ST的标准闪存产品线。我们相信，这些新的内存将有助于ST在3V行动通讯市场上的渗透程度，另外，新组件也有助于在单一封装上以堆栈的方式整合更多的SRAM和／或PSRAM内存。」

为了延长可携式设备的电池使用时间，M29DW640D在执行写入与清除动作时最大电流不超过20mA；读取模式下最大电流为10mA；待机模式下最大功耗为100μA。M29DW640D的每个区块均可承受100,000次的写入／清除循环，数据可保存20年。64Mbit的M29DW640D闪存芯片电压为2.7到3.6V，可选择70ns或90ns的随机访问时间。每一种版本的组件均可在0(到+70(C，或是-40(到+85(的温度下操作。