意法半导体（ST）为串行闪存的供货商，宣布推出两款新的高速8-Mbit和16-Mbit串行闪存产品，采用同类型产品中最小的封装型式︰SO8N。ST是第一个推出这种体积小且具成本效益封装型式的闪存供货商，适合各种对成本有较高要求的计算机及消费性电子产品在Code Stortage上的应用，如打印机、光驱、无线网络(WLAN)模块及机顶盒(STB)等。

两款高速8-Mbit和16-Mbit串行闪存

M25P80和M25P16是两款8-Mbit(1M x 8)和16-Mbit(2M x 8)的串行闪存，具有写保护机制，可支持速率高达50MHz的SPI兼容总线的存取操作，能够快速地把code存入到应用产品的RAM。以4线式高速串行接口替代并列式内存接口，并采用更小的封装型式及较少的接脚数量，除了可以显著地节省产品的成本和板面空间，也可减少系统CPU或ASIC的接脚数量。

采用0.11micron制造技术，ST的设计可在150mils SO8N封装的裸芯片上做到高达16Mbit的储存容量。此两款新产品还同时提供其它的封装型式，包括5 x 6mm 的MLP8封装。M25P16也提供208mils的SO8W封装。这些全都是无铅封装，并符合RoHS法令的规定。ST拥有广泛的串行闪存产品系列，新推出的8Mbit和16Mbit芯片更强化了其产品线的阵容，储存容量可从512-Kbit到128Mbit。

这两款新推出的串行闪存的工作电压范围为2.7V到3.6V,工作温度范围为摄氏-40到+85度。其软件功能包括Bulk Erase 和 Sector Erase、弹性的Page Program指令和写保护功能，及JEDEC标准的2字节电子签名可简化身分验证的程序，也同时兼容于1字节电子签名。数据保存期限可长达20年以上，且每个区段可反复擦写多于100000次以上。