皇家飞利浦电子集团日前推出数个低导通电阻RDS(ON) MOSFET，拓展其mTrenchMOS産品系列。这些新型的P频道装置可向研发节省占位面积的设计人员提供小型和业界标准封装的高性能功率控制能力。型号爲PMN50XP的第一个P频道MOSFET装置具有20伏电压和50毫奥姆（milli ohm）电阻。

飞利浦指出，根据iSuppli的预测，每年被用于手机领域的P频道装置超过10亿件，而手机的付运量则有望从2003年的4.8亿部增长到2007年的6.4亿部。随着笔记本电脑和手提消费産品等行动应用的迅速发展，亚洲地区的厂商将成爲经济型封装和高效电源管理解决方案的领导者。

飞利浦半导体电源管理事业部副总裁兼总经理Manuel Frade表示，「这些新型的P频道装置结合之前发表的n频道mTrenchMOS装置，爲设计人员提供了各类电源管理的産品，以满足亚洲客户对行动运算和手机应用不断提升的需求。这些新设备对那些需要高效能MOSFET且对板占位面积和功效要求严格的消费性应用是非常重要的。」

P频道MOSFETS广泛应用于行动领域的负载和电池转换。目前的电源管理系统通常需要根据系统的特殊需求在任意特定时间转换一个或多个电源线。例如在“休眠”时的笔记本电脑显示器和磁盘驱动器电源都是处于切断状态，以节省电池能耗。此类系统的功率转换必须能在开机状态下显现低压差，使驱动操作更爲简便且仅占用较小的PCB面积。