意法半导体的新HB系列绝缘闸极双极性晶体管（IGBT，Insulated-Gate Bipolar Transistors）拥有比竞争对手的高频产品低40%的关机能源（turn-off energy），同时可降低达30%导通损耗。

HB系列利用意法半导体的沟槽型绝缘闸极双极性晶体管制程，集极关断无曳尾（collector-current turn-off tail-less）电流极低，饱和电压（Vce（sat））为1.6V （典型值），从而最大幅度降低了开关和导通时的能耗。此外，这项技术具有良好的可控性，参数分布窗口十分紧密，从而可提高设计再用性，简化系统设计。

意法半导体的HB系列IGBT可提升目标应用的能效，例如太阳能逆变器、电磁炉、电焊机（welders）、不断电系统（uninterruptible power supplies）、功率因子校正器（power-factor correction）和高频功率转换器。650V的宽额定工作电压确保环境温度在-40°C时崩溃电压（breakdown voltage）至少600V，使其特别适用于寒冷地区的太阳能逆变器。 175°C的最大工作结温和宽安全工作区（SOA，Safe Operating Area）提高了产品的可靠性，让目标应用使用更小的散热器。

可选参数包括30A到80A（在100°C时）的最大额定电流、多种主流的功率封装和为谐振（resonant）或硬式开关电路（hard-switching circuits）优化的内建二极管的封装。