应用材料日前宣布推出业界第一套化学气相沉积TiSiN阻障层（barrier）制程，持续强化在铜制程技术的领导地位。运用应用材料新一代Endura Electra Cu整合式阻障层／种晶层设备平台，结合应用材料现有的自行离子化电浆（SIP：Self Ionized Plasma）物理气相沉积铜反应室，化学气相沉积TiSiN制程不仅支持200mm与300mm制程，并且针对下一代0.1微米铜／超低介电常数芯片设计需求，提供最好的单一系统解决方案。

应用材料公司副总裁暨铜制程、物理气相沉积以及整合制程设备与模块事业群总经理陈福盛博士表示：「由于物理气相沉积技术具有低成本、高产出率、及简化制程与硬件的优点，已被视为下一世代芯片量产时，沉积阻障层及种晶层最主要的技术。我们相信应用材料的旗舰产品Endura Electra Cu 阻障层／种晶层设备，也将是客户量产时的最佳选择。」

陈福盛同时指出：「身为业界领导厂商的应用材料，其全新Endura Electra Cu整合式阻障层／种晶层设备将协助客户延伸至次毫微米（Sub-Nanometer）芯片设计技术发展，包括最先进的超低介电材料薄膜。应用材料公司的化学气相沉积TiSiN反应室制程设备，已经陆续出货至美国及亚洲地区客户，用来制造逻辑和内存组件。」

应用材料的全新化学气相沉积TiSiN制程技术，更加强化Endura Electra Cu整合式阻障层／种晶层系统的先进制程技术。应用材料公司的低温化学气相沉积TiSiN制程，以提供绝佳的阶梯覆盖率（step coverage）为目标，解决因采用具空隙的（porous）超低介电材料（k

覆盖率。由于化学气相沉积TiSiN制程可做出更薄、更均匀的薄膜，因此不但能使铜导线结构具有更好的导电性，同时能做出很好的阻障层，以防止铜扩散到组件的其它区域。

化学气相沉积TiSiN制程采用应用材料公司已通过量产验证的TxZ反应室硬件，并能与阻障层／种晶层平台的自行离子化电浆物理气相沉积铜晶层制程完全整合，同时也与Electra铜电化学电镀（ECP：Electrochemical Plating）之铜填充与Mirra Mesa化学机械研磨制程完成整合，提供最佳金属化制程步骤之解决方案。应用材料以曾获国际半导体杂志年度产品的Endura整合式PVD/CVD阻障层(Liner/ Barrier)为基础，再次推出此套Endura整合式阻障层/种晶层制程设备，做为铜导线制造的平台。