高效率电源管理解决方案厂商安森美半导体（ON Semiconductor）宣布推出采用小型SOT-723包装，针对空间受限便携式应用优化的新一代功率MOSFET产品，这些新低临界值功率MOSFET采用安森美半导体的Trench技术来取得能够与采用SC-89或SC-75等大上许多包装MOSFET组件相抗衡的电气与功率效能表现。

NTK3134N是一款20 V, 890 mA的N信道MOSFET

NTK3134N是一款20 V, 890 mA的N信道MOSFET，NTK3139P则是-20 V, -780 mA的P信道MOSFET，两款组件在高于200 mA运作电流下的低导通电阻RDS(on)以及1.5 V的低闸极电压让它们可以由电源管理ASIC或其他控制器直接控制。

NTK313xx系列产品适合负载或电源切换应用以及小信号接口切换，内建ESD静电放电保护，这些组件可以将特殊处理与组装程序的需求降到最低。SOT-723包装的1.2 mm x 1.2 mm占用面积比起提供类似效能，采用SC-89或SC-75包装的MOSFET节省了44%的电路板空间，拥有0.5 mm的低垂直间隙，这些新SOT-723包装MOSFET产品可以满足新一代超薄掌上型便携式设备的需求，目前这两款组件都已经进入量产，并且能够立即供货。