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飞凌推出全新200V/250V功率MOSFET系列
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2010年01月18日 星期一

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英飞凌科技近日宣布扩展OptiMOS功率MOSFET系列产品的应用范围,推出全新系列的200V和250V装置,适用于48V系统、直流/直流转换器、不断电系统(UPS)和直流马达驱动变频器,执行同步整流。OptiMOS 200V和250V拥有更低的优值系数(FOM),所采用的技术可大幅减少系统设计中二分之一的导通损失。

英飞凌科技表示,目前业界工程师在设计48V电源供应器时,大多仍选择在开关式电源(SMPS)中使用二极管式的整流阶段,但最新产品将可使整体效率上升到95%以上,比目前采用的一般方式高出2%,因而能降低30%的功率耗损。新产品能够满足电信网络市场对于高效率不断扩增的需求,利用「绿能」技术基础架构奠定市场优势。

OptiMOS 200V和250V系列装置的RDS(on)(导通电阻)比其他同类装置减少50%,亦即在高电流应用下可达到最低的功率耗损。其闸电荷(Qg)比其他装置少35%,可在开关应用如电信业的隔离型直流/直流转换器中,达到低功耗及快速切换的优点。此外,该系列装置还能减少装置并行处理,进而降低系统成本;装置使用低导通电阻,因此能够使用体积更小的散热片;加上优化的切换运作,能够降低设计流程的复杂度,加速设计流程。

OptiMOS 200V和250V系列优异的特性,可应用小巧的SuperSO8封装(5mm x 6mm x 1mm),取代以往大量使用的D²PAK装置(9mm x 10mm x 4.5mm)。从D²PAK换成Su-perSO8,除了减少电源半导体所需的空间达 90%以上,更可提升系统的功率密度。此外,使用SuperSO8这类无导线封装,还可提供理想的切换运作,提高整体效率。

OptiMOS 200V和250V系列装置目前已开始供货,提供包括采用TO-220、TO-262、D²PAK 及SuperSO8等封装,以及10.7毫奥姆、20毫奥姆、32毫奥姆和60毫奥姆等RDS(on)类别的组件。如为少量采购(1万个单位),200V的定价为1.2美元起,250V则为1.4美元起。

關鍵字: 功率MOSFET  Infineon 
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