【美国德州普拉诺讯】Diodes公司推出的SDT萧特基二极体系列，使用先进的深沟制程，提供出色效能，且成本比平面型萧特基二极体相近甚至更低。初始的29个装置系列产品，采用热效率封装，提供阻流、自由转轮、返驰与其他二极体功能，适合广泛的产品应用，例如AC-DC充电器/转接器、DC DC 上/下转换及AC LED照明。

SDT萧特基二极体系列采用热效率封装，提供阻流、自由转轮、返驰与其他二极体功能。

Diodes公司的创新深沟制程，使SDT萧特基二极体系列可达到最低0.62V的顺向电压 (VF)，及 3.5μA的漏电流。如此的效能造就杰出的功率效率，使终端系统设计采用更为精巧的外型。此系列产品中，提供5A至40A的最大平均整流电流额定，峰值重复反向电压(VRRM)最高达120V，顺向突波电流 (IFSM)最高达280A，确保完整温度范围内拥有可靠的系统运作。

PowerDI5、TO220AB及ITO220AB封装选项，都能提供绝隹的热能转移特性，使SDT萧特基二极体系列能在严苛的应用中进行可靠运作。这些封装极为适合大量制造，SDP零件可做为直接替换零件，取代一般平面型萧特基二极体。