富士通半导体有限公司台湾分公司宣布推出全新具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封装并且与标准低功耗SRAM兼容，因此能够在工业机械、办公自动化设备、医疗设备以及其他设备等应用中，取代原有具备高速数据写入功能的SRAM。此产品明年1月起开始为客户提供样品。

富士通半导体宣布推出具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片MB85R4M2T。

FRAM具备非挥发性数据储存功能，即使在电源中断的状况下仍能保护数据；随机存取功能则能高速写入数据。由于FRAM在写入数据时若面临电源临时中断或是停电，仍旧能够安全地储存数据，因此即使在电源中断时还是能够立即储存参数信息并实时记录设备上的数据数据。

另外，MB85R4M2T无须任何电池即可持续地储存数据，因此有助于发展更小型、更省电的硬设备，且能降低总成本。其优势包含：

1.减少电路板面积

MB85R4M2T不需要透过电池储存数据，因此能减少50%以上产品中所使用PCB基板记 忆体与相关零件的电路板面积。

2.降低功耗

SRAM在主电源关闭的情况下将数据保存在内存时，需要消耗约15 μW/秒的电流以保存数据。由于FRAM为非挥发性的内存，在电力关闭情况下不会耗费任何电力。

3.降低总成本

移除电池不仅降低零件成本，也免除了所有电池更换或维修相关的周期性成本，能大幅减低开发及营运的总成本。

富士通半导体将持续为客户提供内存产品及解决方案并协助客户提高产品效能，也期望能有效降低终端产品的总成本。