瑞薩科技與Grandis, Inc.同意共同合作發展採用自旋轉移寫入技術的65nm處理MRAM（磁性隨機記憶體）。瑞薩科技將在不久的未來，開始出貨採用65 nm 製程 STT-RAMTM 的微控制器和SoC產品。

瑞薩科技生產和科技部的常務副總經理西村正表示：「我們目前正採用高速和高可靠性的傳統磁場寫入科技3，來發展MRAM科技。我們希望在具有晶片記憶體的微控制器和SoC裝置等產品中使用此項科技。然而，在需要減少寫入不穩定性和較低的電源需求因素下，我們認為自旋轉移寫入科技更適合未來使用超微製程來製造的MRAM。Grandis擁有世界級的自旋轉移技術。藉由融合Grandis的技術和瑞薩的製程，我們將能發展結合高效能和絕佳可靠性的通用記憶體；我們對此感到相當有信心。」

Grandis, Inc. 的總裁William Almon表示：「多年來，Grandis都是自旋轉移科技的領導者。我們是這項技術的先鋒，因為我們是第一家採用自旋轉移技術到MRAM記憶格結構的廠商。藉由將自旋轉移技術效能達到最大化後，我們可以將其提升到與現今LSI裝置結合的程度。我們期待與瑞薩合作，將技術應用至LSI設備上，以擴展Grandis的商機。」