繼韓國三星日前宣佈以0.11微米量產DRAM後，德商DRAM廠英飛凌也宣佈以0.11微米溝槽式（Trench）製程試產256Mb DRAM，並且獲得英特爾驗證，目前已進入量產階段，未來該製程將授權華邦、華亞、中芯等策略夥伴。

英飛凌表示，以0.11微米量產256Mb DRAM，與0.14微米製程相較，新製程可減少30％的製造成本，可提升50％以上的產出；與其它競爭者相較也減少10％。0.11微米製程由德國Dresden8吋晶圓廠開發，試產成功後將移至8吋與12吋廠量產。

據了解，英飛凌將193奈米微影技術，應用於0.11微米製程量產DRAM，此舉能在最短的時間內，將製程微縮至奈米製程；0.11微米可生產DRAM、DDR-II以及高速繪圖卡用DRAM。