英飛凌科技(Infineon Technologies)發表多重閘極場效電晶體(Multi-gate field-effect tran-sistor)技術，在面積小又需要眾多功能的積體電路上，比今日的平面單閘極技術(Planar single-gate)所消耗的功率要小很多。英飛凌的研究人員測試了採用全新65nm多重閘極場效電晶體架構，所製造全球第一個高複雜性電路，和目前的單閘極技術所生產出相同功能和效能的產品相比較，其面積幾乎要縮小約30%，這類新電晶體的靜態電流是之前的十分之一而已。依據研究人員的計算，和目前在生產製程使用的65nm技術相比，如此之靜態電流將會使攜帶式裝置的能量使用效率和q池壽命增加達一倍左右。未來的製程技術 (32nm及之後的技術)還將進一步大幅提高此比例。

重閘極場效電晶體技術

英飛凌董事及通訊解決方案事業群主管Hermann Eul博士表示：「我們擁有全球首創65nm多重閘極技術之積體電路，已經證明了在半導體產業製程上的精進，不僅僅只是面積的降低而已。今日我們所面對的挑戰，是要如何更有創意的發揮可用之製程和材料，盡可能把技術提升至具成本效益的地步。我們研究員所獲得的結果讓人印象深刻。此外，根據目前獲得的結果，我們預期多重閘極技術將會提供絕佳之機會持續將CMOS裝置發展至32nm 及之後的技術。」

由英飛凌研究員所測試的65nm電路包括超過3,000個主動式電晶體，以三度空間多閘極技術生產出來。許多結果均確認多閘極技術和當今的各種成熟技術一樣的優異，但以相同的各種功能來說，所消耗的能量只有一半左右，在未來的技術世代來說，此優勢將確信會愈來愈重要。