IBM與數家LSI製造商日前已就共同開發32nm製程技術及生產技術達成了協議。這些廠商未來將合作開發用於邏輯LSI晶片之Bulk CMOS製程。IBM與這五家公司的合作將持續至2010年，而32nm製程LSI晶片也將從2009年第四季開始生產。據了解，合作研發的地點將位於紐約州East Fishkill的IBM生產基地。

與IBM達成協定的廠商分別為兩家通用平台（Common Platform）技術合作夥伴新加坡特許半導體（Chartered Semiconductor Manufacturing）、以及南韓三星電子（Samsung Electronics），另外兩家廠商為合作開發聯盟夥伴德國英飛淩（Infineon Technologies AG）、美國飛思卡爾半導體（Freescale Semiconductor）。達成協定後，IBM、特許半導體製造和三星電子將能夠以幾乎相同的品質製造32nm製程LSI晶片。

為了維持晶片高性能並同時兼顧低成本，這五家廠商將導入high-k金屬柵技術、應變矽技術、AirGap等low-k技術以及第2代液浸曝光技術等最尖端技術。合作開發32nm製程技術的封裝。並開發用於降低此類最新技術應用難度的製程設計工具（PDK），以便利客戶使用。此外數位通訊產品的模擬模型、RF CMOS、混載DRAM的平台也都包括在這些範圍之內。