據工商時報消息，全球晶片製造龍頭英特爾宣稱在改善先進製程晶片漏電的問題上有重大進展，將在下一世代(65奈米)製程引進一個旨在追求省電表現的獨立製程，可有效減少漏電流問題。

最新電腦晶片製程常有電晶體的電流漏電，進而減損電池壽命及產生過熱等問題，半導體產業主管警告，若不能有效改善此一問題，產業追求電路微小化的步調勢必會放緩，不利電子產業降低成本及經營績效。

英特爾宣布消息指出，該公司正為手機及筆記型電腦等可攜式產品開發一個獨立的製程，可減少1000個漏電流因子。英特爾高層並表示，他們已開發出證明此一方法有效的原型晶片，但此項技術最快要等到2007年初才會商業化量產。

其他業者同樣致力於漏電問題的改善，德州儀器也宣布一項減少漏電的SmartFlex技術，而一些分析師認為，包括德儀及飛思卡爾(Freescale)等晶片業者可能將仿效英特爾的方法。