工研院量測中心日前宣布將與美國Accent Optical Technologies共同合作研發65奈米微影製程疊對量測技術，其量測範圍可精確到2奈米（nm），此技術將可提供國內下一代半導體產業製造量測過程之用。

由於半導體製程的關鍵尺寸（Critical Dimension）設計逐年縮小，相對的微影疊對量測精確度就要逐年提高，於半導體製程中（Layer to Layer）間的疊對（Overlay）精確度，傳統顯微鏡判讀的方法已無法達到其要求，量測中心與美國Accent Optical Technologies 公司正式簽約合作，共同研發最新的微影疊對量測技術。這項最新的 65奈米微影製程疊對量測技術，精確度可達到2.0 nm。

量測中心表示，根據ITRS（International Technology Roadmap of Semiconductor） 2004年的研究報告指出，半導體產業對於線距的要求已由過去的107奈米縮小到現在的90奈米。另外，對於微影疊對量測的準確性要求，也從過去的3.5奈米減少為3.2奈米。未來半導體產業進入65奈米製程，也必須達到2.3奈米的精確量測範圍。這一次的合作，將利用全新量測技術物理特性增加可分析的資料，以降低製程中可能產生的誤差，並藉由雷射散射（Scatterometry）和亮域顯微（Bright-field Microscopy）原理提升量測精密度並降低量測儀器所產生的誤差。