新思科技(Synopsys)近日宣佈，其StarRC寄生電路抽取(parasitic extraction)解決方案通過聯華電子(UMC)最新28奈米製程技術的認證，在聯電所提供的測試評估設計環境中，該解決方案可達成矽晶驗證(silicon-validated)的準確率，符合聯電先進28奈米Poly SiON及高介電金屬閘極(High K/Metal gate)製程的條件；StarRC技術文件(technology files)已可供聯電28奈米製程客戶使用。

StarRC是新思科技Galaxy實作平台的重要工具軟體，該寄生電路抽取解決方案乃針對SoC、客製數位類比/混和訊號(analog/mixed-signal，AMS)及記憶體設計(memory design)所開發。

針對28奈米製程，StarRC所提供的功能包括主要寄生電路效應(parasitic effect)的模型(modeling)，如先進製程的重新定向效應(retargeting effect)、新的導孔蝕刻 (via etch)和耦合效應(coupling effect)、導孔之電阻電容(via resistance and capacitance)、多項式擴散電阻(polynomial-based diffusion resistance)，以及經強化的佈線裝置寄生電路抽取。

此外，StarRC也提供其他專為28奈米製程所設計的先進功能，包含針對快速、高準確性的3D抽取之Rapid3D技術、多核效能及擴展性的強化、縮減面積的能力，以及針對大型SoC設計簽核(signoff)所提供的網表(netlist)等。