就在繪圖晶片及手機晶片大廠相繼導入65奈米量產之際，台積電宣佈，九月起即可完成45奈米製程驗證，並開始為客戶生產。由於此一製程具備相當高的元件密度以及高密度的6電晶體存取記憶體（6T SRAM），因此在70平方厘米的晶片上，可以容納超過5億個電晶體。

此一製程結合最先進的193奈米浸潤式曝光顯影製程、大幅增進晶片效能的應變矽晶（Silicon strains）及超低介電係數（Extreme low-k dielectric；ELK）元件連接材料等競爭優勢；在進入量產的同時，台積電也推出全套完備的45奈米製程設計支援服務。

台積電指出，與65奈米製程相較，使用45奈米低耗電量（Low power；LP）製程生產的晶片元件密度倍增，並具備耗電量以及單顆晶片生產成本大幅降低的優勢。此一製程在降低耗電量的同時，預計能夠提昇產品功能達40％或減少元件尺寸達40％。這些優勢對SoC相當重要，可以進一步縮小行動電話、攜帶型多媒體播放機、個人數位助理以及其他手持式產品的尺寸。

台積電45奈米泛用型（General purpose）及高效能（High performance；GS）製程生產的晶片密度可達兩倍以上，在相同水準的漏電流（Power leakage）情況下，速度可增加30％以上，此外，45奈米邏輯製程也提供低耗電量三閘級氧化層（Triple gate oxide；LPG）的製程選擇。此三種製程皆提供多種不同運作電壓以及1.8伏特、2.5伏特或3.3伏特的輸入/輸出電壓以滿足不同的需求。

而據了解，手機晶片大廠高通（Qualcomm）為台積電45奈米首批量產客戶之一，過去拉著晶圓代工製程往前走的繪圖晶片雙雄NVIDIA及AMD-ATI，明年底始導入45奈米技術。