據外電消息，中國大陸最大晶圓代工業者中芯國際表示，該公司已經導入0.11微米製程為英飛凌（Infineon）生產DDRⅡ晶片；中芯並且表示，在不久後可望以0.10微米製程，為另一技術合作夥伴爾必達（Elpida）打造DDRⅡ晶片。此外中芯自行研發的90奈米製程則計劃在2005年底進入量產階段。

中芯自創立以來即與多家國際大廠策略聯盟，藉以在最短時間內獲取技術資源和訂單挹注，而其中英飛凌和爾必達更為中芯兩大重要技術合作夥伴。中芯執行張汝京曾於2004年9月該公司北京首座12吋晶圓廠Fab 4啟用時表示，該廠產能已被英飛凌、爾必達等3家客戶包下，Fab 4將進入試產階段，初期將以0.11、0.10微米製程生產DRAM。

中芯投資關係部門主管Jimmy Lai表示，該公司已在英飛凌的技術協助下導入0.11微米製程，並且於3月中旬通過英飛凌認證，將在Fab 4為其生產DDRⅡ晶片；且由於該製程由英飛凌研發，並不能用於中芯其他代工客戶。

此外，Lai亦指出，Fab 4第二條生產線將與日廠爾必達合作，在不久的將來以0.10微米製程為爾必達生產DDRⅡ產品，預計認證工作將在第二季（Q2）結束以前完成並立即投入量產。至於中芯自行研發生產邏輯IC所需90奈米製程的進度則略微落後，可望在2005年底進入商業量產階段。