據Digitimes報導，由於日、韓DRAM廠在12吋廠佈局策略落差大，以及台灣業者投資12吋廠領先全球，加上大陸晶圓廠中芯及宏力極可能串聯DRAM產能，全球DRAM產業不僅既有的競爭局面將發生變化，未來大陸更可能加入競爭。而台灣廠商是否能藉由12吋廠取得戰略優勢，是業界高度關注的焦點。

該報導指出，全球最大DRAM廠三星電子近來在興建12吋廠態度上轉趨保守，儘管三星在韓國建置了2座12吋廠，但至今季產能僅維持在50萬片左右，且其中有30％是用以生產NAND型Flash。此外海力士（Hynix）在12吋廠建置上也明顯遲緩，造成整體韓國DRAM產能出現式微，這使得積極投資12吋廠的台灣DRAM業者預估，有機會將全球市佔率從既有3成突破至4成。

但台DRAM廠同時也面臨日廠爾必達（Elpida）以及大陸廠中芯及宏力在後追趕競爭的隱憂，其中Elpida 12吋廠DRAM產能正快速增加，遠超乎韓廠擴產的速度，至於大陸廠更是台廠最大的假想敵。

業者表示，台灣DRAM廠最擔心的就是中芯與宏力未來在DRAM產能上進行串聯。中芯北京四廠已獲得英飛凌DRAM代工訂單及製程技術，將於2004年以0.11微米製程投產，五廠則可能在2004年上線，採90奈米製程。至於宏力方面，預估未來3年內產能將不斷增加，至2006年月產能可望達到10萬片規模，成為上海最大晶圓廠。由中芯及宏力擴廠速度來看，其產能將是台灣DRAM廠最大潛在威脅。