據工商時報消息，力晶半導體為擴大產出搶佔市場佔有率，已舉行第2座12吋廠動工典禮，同時力晶亦公佈該公司第一座12廠採用0.13微米製程比重已達90％，九月營收創下27億1000萬元歷史新高紀錄。

由於力晶12吋廠產出的DRAM單位成本，已經低於8吋廠中同製程產出，在12吋廠經濟效應開始發酵之際，力晶決定趁勝追擊再興建第2座12吋廠。力晶第2座12吋廠動工典禮由董事長黃崇仁主持，預計在2004下半年完工裝機，2005年進入量產，若加計第1座12廠在2004年後將開出30萬片年產能來計算，力晶屆時將成為國內最大DRAM廠。

力晶今年發行二次海外可轉換公司債（ECB），共募得2億3200萬美元資金，除了將主流製程由0.15微米推進至0.13微米，也全力擴充12吋廠產能。