據外電報導，南韓半導體業者三星電子與Hynix，2003年將透過製程技術與設備的升級，來增加產量及強化成本競爭力。三星電子計畫將90奈米技術應用於12吋生產線，Hynix也將在重整公司之後，準備投入12吋廠計畫。

據韓國經濟新聞報導，三星電子計劃在2003上半年完成12吋晶圓廠設備投資，月產能也將自將由2003年第三季開始擴增至2萬片；該公司並決定將90奈米製程技術應用於量產512M與1G DRAM的12吋生產線，以同時生產快閃記憶體（Flash）與DRAM。

三星並計劃在2003年藉由良率的提升，將營業利益率由10％增加至15％，DRAM全球市佔率則由2002年30％擴大至32～35％。尤其，三星擬將市場規模愈趨擴大的NAND型Flash生產比重由20％擴增至25～30％。

Hynix則決定出售Hydis與ImageQuest股權，以所得5,000多億韓元（約4億多美元）的半數以上來投資設備，將原本自0.18微米升級至0.15微米為主的生產線，重整為自0.15微米升級至0.13微米為主，並推動12吋晶圓廠的投資計畫。Hynix還計劃擴增DDR生產比重至70％以上，並與歐洲業者進行快閃記憶體事業聯盟，以穩定獲利。