Samsung（三星）於2016年的快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit）展示了其第四代Vertical NAND（V-NAND）技術，與一系列的高性能、高容量固態硬碟（SSD），以提供其企業客戶與Z-SSD一套全新解決方案，該解決方案可提供基於快閃記憶體的儲存裝置嶄新性能。

三星推出新一代V-NAND快閃記憶體。

三星電子記憶體事業部總裁Young-Hyun Jun表示，該公司最新推出的第四代V-NAND技術，可提供高容量、高性能，以及更小的尺寸，將有助於其客戶實現更好的總持有成本（Total Cost of Ownership，TCO）。

Jun進一步表示，該公司也將繼續推出更先進的V-NAND解決方案，且擴大閃存業務，並大大地提升產品性能與整體產品價值。

三星第四代V-NAND增加了30％的堆疊單元陣列，該公司推出的第四代、六十四層三階儲存單元（Triple-Level-Cell）V-NAND快閃記憶體，可促使NAND的封裝更加緊密，且提高性能與存儲容量。六十四層的堆疊單元陣列，可使新式V-NAND增加512GB的單晶片密度，以及將IO速度提升至800Mbit/s。

據了解，第四代V-NAND將在2016年第四季開始供貨，屆時將可協助製造商生產速度加快，且讓設備更加輕便可攜，同時可提供消費者更加靈活的運算環境。