EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其總劑量等級大於1 Mrad，線性能量轉移的單一事件效應抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004與EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是採用晶片級封裝，這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）和IC相同。封裝元件將由EPC Space提供。

EPC推出高功率密度和效率的100 V抗輻射電晶體，用於要求嚴格的航太應用

憑藉具備更高的擊穿?度、更低的閘極電荷、更低的開關損耗、導熱性和超低的導通電阻等優勢，氮化鎵功率元件明顯比矽基元件優勝，針對要求嚴格的航太任務，可以實現更高的開關頻率、功率密度、效率以及更小型化和更輕的電路。與矽解決方案相比，基於氮化鎵元件的解決方案可以在更高的總輻射量、SEE 和LET下工作。

受益於具備電氣和抗輻射性能的EPC7004的應用包括DC/DC電源、馬達控制、光達、深層探測以及用於航太應用、衛星和航空電子設備的離子推進器。其他抗輻射產品包括40 V至200 V的氮化鎵產品可供選擇。

EPC公司首席執行長兼聯合創始人Alex Lidow說：「100 V的EPC7018和EPC7004提供了不同的尺寸/功率權衡，而且具有超低的導通電阻，讓設計工程師在航太應用實現新一代的電源轉換解決方案和馬達控制器，在更高的頻率、效率和功率密度下工作，這是以前無法實現的。」