國內快閃記憶體(Flash)大廠旺宏電子公司為取得未來進入系統單晶片(SOC)競爭優勢，也加入新世代非揮發性記憶體-磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)及鐵電隨機存取記憶體(FRAM)開發，並計劃趕在2004年前導入量產，以免被IBM及Infineon等國際整合元件大廠(IDM)搶食先機。

旺宏為達成上述目標，特別網羅在美國貝爾實驗室資深工程師劉瑞琛回國，並成立前瞻技術實驗室，由劉瑞琛領軍進行MRAM及FRAM開發。

劉瑞琛表示，MRAM及FRAM都是非揮發性記憶體，因這兩種記憶體具備速度快、低耗電，尤其是進入SOC，這兩種記憶體可採用與邏輯IC相同的精密製程，將成SOC的核心記憶體，因而其發展近來受到國際重視。其中MRAM，包括IBM、Infineon、摩托羅拉、HP及南韓三星等大廠，都積極投入，去年12月IBM決定與Infineon合作，並預定在2004年推出256Mb的產品。